[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的虚设沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与虚设沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的靠虚设沟槽部侧的下端的下方。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

在专利文献1中记载了“在半导体装置中提高饱和电流等特性”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-195798号公报

专利文献2：国际公开第2018/052098号手册

发明内容

技术问题

提供一种提高开关时的闩锁耐量的半导体装置。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的第一沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与第一沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的下端的下方。

接触区可以与所述第一沟槽部接触。

在台面部，接触区可以与栅极沟槽部分离。

在沟槽排列方向上，接触区可以与栅极沟槽部分离0.6μm以上。

接触区可以在第一沟槽部的侧壁设置于所述半导体基板的正面。

半导体装置可以具备设置于半导体基板的上方的层间绝缘膜。发射区可以经由接触孔而与发射极电连接，该接触孔贯通层间绝缘膜地设置。

发射区可以在沟槽排列方向上从栅极沟槽部越过接触孔而向第一沟槽部侧延伸。

半导体装置可以在漂移区与基区之间具备掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的蓄积区。

半导体装置可以具备多个栅极沟槽部、以及多个第一沟槽部。多个栅极沟槽部的数量与多个第一沟槽部的数量之比可以为1：1。

半导体装置可以具备多个栅极沟槽部、以及多个第一沟槽部。多个栅极沟槽部的数量与多个第一沟槽部的数量之比可以为1：2。

发射区可以在沟槽排列方向上从栅极沟槽部向第一沟槽部延伸。发射区可以未到达第一沟槽部便终止。

发射区可以在沟槽排列方向上从栅极沟槽部起延伸到第一沟槽部为止。

接触区与发射区可以被设置为，在半导体装置的正面相对于栅极沟槽部的沟槽延伸方向交替地接触。

第一沟槽部可以被设定为发射极电位。

第一沟槽部可以被设定为栅极电位。

第一沟槽部可以是虚设沟槽。发射区可以在台面部，与栅极沟槽部接触，并且与第一沟槽部分离。接触区可以在台面部，设置在发射区的靠第一沟槽部侧的下端的下方。

第一沟槽部可以包括被设定为栅极电位且不与发射区接触的虚设栅极沟槽部。

第一沟槽部可以包括被设定为发射极电位的虚设沟槽部。