[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部相邻的第一沟槽部，

所述半导体装置具备：

第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；

第二导电型的基区，其设置在所述漂移区的上方；

第一导电型的发射区，其设置在所述基区的上方，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及

第二导电型的接触区，其设置在所述基区的上方，并且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高，

在所述栅极沟槽部与所述第一沟槽部之间的台面部，所述接触区设置在所述发射区的下端的下方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区与所述第一沟槽部接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述台面部，所述接触区与所述栅极沟槽部分离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区在沟槽排列方向上与所述栅极沟槽部分离0.6μm以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区在所述第一沟槽部的侧壁设置于所述半导体基板的正面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备设置于所述半导体基板的上方的层间绝缘膜，

所述发射区经由接触孔而与发射极电连接，该接触孔贯通所述层间绝缘膜地设置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射区在沟槽排列方向上从所述栅极沟槽部越过所述接触孔而向所述第一沟槽部侧延伸。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述漂移区与所述基区之间具备掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的蓄积区。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备多个所述栅极沟槽部、以及多个所述第一沟槽部，

多个所述栅极沟槽部的数量与多个所述第一沟槽部的数量之比为1：1。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备多个所述栅极沟槽部、以及多个所述第一沟槽部，

多个所述栅极沟槽部的数量与多个所述第一沟槽部的数量之比为1：2。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射区在沟槽排列方向上从所述栅极沟槽部向所述第一沟槽部延伸，并且未到达所述第一沟槽部便终止。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射区在沟槽排列方向上从所述栅极沟槽部起延伸到所述第一沟槽部为止。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区与所述发射区被设置为，在所述半导体装置的正面相对于所述栅极沟槽部的沟槽延伸方向交替地接触。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟槽部被设定为发射极电位。

15.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟槽部被设定为栅极电位。