[发明专利]一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法

摘要

本发明涉及利用化学气相沉积领的低压化学气相沉积(LPCVD)法生长高质量异质外延β‑Ga2O3晶体的方法，其中所述方法包括以下工艺步骤：制备具有沿不同方向倾斜切割的六边形表面的基底，使得倾斜角在2°至10°的范围内，通过氩气将在第二区（2）中加热的镓获得的蒸气物理地输送到泵（4）/样品，用单独的陶瓷或难熔金属管将氧气驱动到系统中，并在基底上方将其直接垂直地转移到样品上，在所述表面上形成β‑Ga2O3核心层，使得生长表面上的Ga∶O表面原子的比例在10∶1至1∶10的范围内，以确保Ga和O的表面原子在加热的基板上形成β‑Ga2O3晶体，以5nm‑2000nm的厚度和10nm/h‑500nm/h的生长速率生长β‑Ga2O3的核心区域，保持在先前步骤中产生的核心层上的生长过程，使得β‑Ga2O3生长速率在100nm/h至10µm/h之间的范围内。