[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202180004136.8 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114008792A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;何川;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/225 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层和第二基于氮化物的半导体层、第一p型掺杂基于氮化物的半导体层、第一电极和第二电极。所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且具有与所述第二基于氮化物的半导体层接触的底部表面。所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层具有沿着从所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层的所述底部表面指向顶部表面的方向递减减小的氢浓度。所述第一电极安置在所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层上，且与所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层的所述顶部表面接触。所述第二电极安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方以界定漂移区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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