[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一基于氮化物的半导体层；

第二基于氮化物的半导体层，其安置在所述第一基于氮化物的半导体层上，且具有与所述第一基于氮化物的半导体层的带隙不同的带隙以在其间形成异质结；

第一p型掺杂基于氮化物的半导体层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且具有与所述第二基于氮化物的半导体层接触的底部表面，其中所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层具有沿着从所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层的所述底部表面指向顶部表面的方向递减减小的氢浓度；

第一电极，其安置在所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层上，且与所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层的所述顶部表面接触；以及

第二电极，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方以界定漂移区。

2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其进一步包括：

氢吸收岛，其安置在所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层与所述第一电极之间。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括Ti、Zr、Ca、Mg、V、Nb、Re或其组合。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括KHCO₃、NaHCO₃、Li₃N或其组合。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括Al-Ni纳米粒子。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括活性炭、石墨化炭纳米纤维、碳纳米管或其组合。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括气体水合物。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛在内部存储氢。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述氢吸收岛包括金属氢化物。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层包括从所述底部表面到所述顶部表面递减分布的Mg-H复合物。

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层的所述氢浓度在所述顶部表面处是水平均一的。

12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其进一步包括：

第二p型掺杂基于氮化物的半导体层，其安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，其中所述第二p型掺杂基于氮化物的半导体层的氢浓度沿着所述方向递减减小；以及

第三电极，其安置在所述第二p型掺杂基于氮化物的半导体层上，且与所述第二p型掺杂基于氮化物的半导体层接触。

13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述第二基于氮化物的半导体层的所述带隙大于所述第一基于氮化物的半导体层的所述带隙，使得异质结形成有二维电子气(2DEG)区。

14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中所述第二基于氮化物的半导体层的所述带隙小于所述第一基于氮化物的半导体层的所述带隙，使得异质结形成有二维空穴气(2DHG)区。

15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其进一步包括：

氢吸收薄膜，其安置在所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层与所述第一电极之间，且将所述第一p型掺杂基于氮化物的半导体层电连接到所述第一电极。