[实用新型]一种瞬态抑制二极管有效
| 申请号： | 202122664527.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN216648323U | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;招景丰 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种瞬态抑制二极管，包括：基材，基材为N型基材；形成在基材正面的N型重掺杂层；形成在基材的背面的第一区域上的P型轻掺杂层；形成在基材的背面除第一区域以外的第二区域上的P型重掺杂层；形成在基材正面的沟槽，沟槽与第一区域对应，且P型轻掺杂层暴露于沟槽；形成在沟槽上的钝化层。可见，由于P型重掺杂层的掺杂浓度高，P型轻掺杂层的掺杂浓度低，因此，P型重掺杂层与N型基材的交界形成的P+/N结的击穿电压低于P型轻掺杂层与N型基材的交界形成的P‑/N结。因此，在高电压冲击上述瞬态抑制二极管时，首先在P+/N结处击穿，也就是说，P‑/N结承受的电压较小，钝化层在不使用传统的铅系玻璃钝化的情况下，也可满足P‑/N结需要的钝化保护要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 抑制 二极管 | ||
【主权项】：
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