[实用新型]一种瞬态抑制二极管有效
| 申请号： | 202122664527.2 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN216648323U | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;招景丰 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 抑制 二极管 | ||
1.一种瞬态抑制二极管，其特征在于，包括：
基材，所述基材为N型基材；
形成在基材正面的N型重掺杂层；
形成在所述基材的背面的第一区域上的P型轻掺杂层；
形成在所述基材的背面除所述第一区域以外的第二区域上的P型重掺杂层；
形成在所述基材正面的沟槽，所述沟槽与所述第一区域对应，且所述P型轻掺杂层暴露于所述沟槽；
形成在所述沟槽上的钝化层。
2.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂层的掺杂深度大于所述P型重掺杂层的掺杂深度。
3.如权利要求2所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂层的掺杂源包括硼或铝元素；所述P型重掺杂层的掺杂源包括硼元素。
4.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述钝化层包括二氧化硅层，所述基材为N型硅片。
5.如权利要求4所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述钝化层还包括氮化硅层和半绝缘多晶硅层中至少一个，所述氮化硅层或半绝缘多晶硅层形成在所述二氧化硅层与所述沟槽之间。
6.如权利要求4或5所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述钝化层还包括聚合物层，所述聚合物层电绝缘，且所述聚合物层的热分解温度大于200℃；所述聚合物层形成在所述二氧化硅层上。
7.如权利要求6所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述聚合物层为聚酰亚胺层。
8.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述瞬态抑制二极管还包括：
形成在所述N型重掺杂层上的第一电极；形成在所述P型重掺杂层上的第二电极；
或形成在所述N型重掺杂层上的第一导电层；形成在所述P型重掺杂层上的第二导电层；所述第一导电层包括合金层和/或金属层，所述第二导电层包括合金层和/或金属层。
9.如权利要求8所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第一电极为镍电极或镍合金电极；所述第二电极为镍电极或镍合金电极；
所述第一导电层包括镍层和/或镍合金层；所述第二导电层包括镍层和/或镍合金层。
10.如权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂层暴露的宽度大于第一预设宽度，所述第一预设宽度为80微米；
和/或，距离所述基材的边缘第一预设宽度对应的区域为所述第一区域。
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