[实用新型]一种瞬态抑制二极管

说明书

一种瞬态抑制二极管，包括：基材，基材为N型基材；形成在基材正面的N型重掺杂层；形成在基材的背面的第一区域上的P型轻掺杂层；形成在基材的背面除第一区域以外的第二区域上的P型重掺杂层；形成在基材正面的沟槽，沟槽与第一区域对应，且P型轻掺杂层暴露于沟槽；形成在沟槽上的钝化层。可见，由于P型重掺杂层的掺杂浓度高，P型轻掺杂层的掺杂浓度低，因此，P型重掺杂层与N型基材的交界形成的P+/N结的击穿电压低于P型轻掺杂层与N型基材的交界形成的P‑/N结。因此，在高电压冲击上述瞬态抑制二极管时，首先在P+/N结处击穿，也就是说，P‑/N结承受的电压较小，钝化层在不使用传统的铅系玻璃钝化的情况下，也可满足P‑/N结需要的钝化保护要求。

技术领域

本申请涉及二极管技术领域，具体涉及一种瞬态抑制二极管。

背景技术

瞬态抑制二极管被广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级保护，如用在气体放电管之后的二级保护，也可直接用于电路的一级保护。

作为基础的电路元件，二极管的市场需求量非常大，早期整流管以低端的OJ工艺为主，价格非常低，但酸洗对环境污染较大，随着国家环保政策的收紧，OJ工艺逐渐被淘汰，各厂家纷纷切为GPP(含铅)工艺的芯片，但此工艺的钝化工艺含铅，对环保也造成一定的影响。

但随着技术进步，欧盟ROHS指令对器件用铅的豁免随时失效，急需一种无铅的瞬态抑制二极管满足市场需要。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是现有的瞬态抑制二极管含铅的技术问题。

根据本申请的一方面，一种实施例中提供一种瞬态抑制二极管，包括：基材，基材为N型基材；

形成在基材正面的N型重掺杂层；

形成在基材的背面的第一区域上的P型轻掺杂层；

形成在基材的背面除第一区域以外的第二区域上的P型重掺杂层；

形成在基材正面的沟槽，沟槽与第一区域对应，且P型轻掺杂层暴露于沟槽；

形成在沟槽上的钝化层。

在一种可能的实现方式中，P型轻掺杂层的掺杂深度大于P型重掺杂层的掺杂深度。

在一种可能的实现方式中，P型轻掺杂层的掺杂源包括硼或铝元素；P型重掺杂层的掺杂源包括硼元素。

在一种可能的实现方式中，钝化层包括二氧化硅层，基材为N型硅片。

在一种可能的实现方式中，钝化层还包括氮化硅层和半绝缘多晶硅层中至少一个，氮化硅层或半绝缘多晶硅层形成在二氧化硅层与沟槽之间。

在一种可能的实现方式中，钝化层还包括聚合物层，聚合物层电绝缘，且聚合物层的热分解温度大于200℃；聚合物层形成在二氧化硅层上。

在一种可能的实现方式中，聚合物层为聚酰亚胺层。

在一种可能的实现方式中，瞬态抑制二极管还包括：

形成在N型重掺杂层上的第一电极；形成在P型重掺杂层上的第二电极；

或形成在N型重掺杂层上的第一导电层；形成在P型重掺杂层上的第二导电层；第一导电层包括合金层和/或金属层，第二导电层包括合金层和/或金属层。

在一种可能的实现方式中，第一电极为镍电极或镍合金电极；第二电极为镍电极或镍合金电极；

第一导电层包括镍层和/或镍合金层；第二导电层包括镍层和/或镍合金层。

在一种可能的实现方式中，P型轻掺杂层暴露的宽度大于第一预设宽度，第一预设宽度为80微米；

和/或，距离基材的边缘第一预设宽度对应的区域为第一区域。