[实用新型]分立栅极沟槽MOSFET的布局架构有效
| 申请号： | 202122406441.X | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN216311792U | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 常虹;苏毅 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 710005 陕西省西安市西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种屏蔽栅极沟槽MOSFET的布局架构，包括：第一极性高度掺杂衬底与其上生长的第一极性的外延层；形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：位于有源区中且为平行的多个有源栅极沟槽；环绕于所述有源区外围且与部分有源栅极沟槽形成间隔连接的终端沟槽，与环设于终端沟槽外的沟槽保护环。其中，终端沟槽与不连接的有源栅极沟槽的外缘，形成相等台面宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 栅极 沟槽 mosfet 布局 架构 | ||
【主权项】：
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