[实用新型]分立栅极沟槽MOSFET的布局架构

权利要求书

1.一种分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，包括：

高度掺杂衬底，其包含第一极性；

包含所述第一极性的外延层，其在所述高度掺杂衬底上生长；

形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：

位于有源区且为平行设置的多个有源栅极沟槽；

环绕于所述有源区外围且设置于终端区的终端沟槽，所述终端沟槽内设置有多晶硅，所述终端沟槽在不与所述多个有源栅极沟槽为平行的方向上，间隔的与所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽连接，且与不连接所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽的外缘形成相同的台面宽度；

多个沟槽保护环，环绕于所述有源区外围且设置于终端区，所述多个沟槽保护环的沟槽内设置有多晶硅。

2.根据权利要求1所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述终端沟槽与所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽连接，其延伸形状为波纹形状。

3.根据权利要求2所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述多个沟槽保护环的一个或多个，与所述终端沟槽为形状等同或相似。

4.根据权利要求2所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述多个沟槽保护环邻近所述终端沟槽的一者与所述终端沟槽之间形成第一台面宽度，所述第一台面宽度与所述台面宽度为相同或相异。

5.根据权利要求2所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述多个沟槽保护环之间形成第二台面宽度，所述第二台面宽度与所述台面宽度为相同或相异。

6.根据权利要求1所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，包括在所述多个条形沟槽上方的氧化物覆盖层。

7.根据权利要求6所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，包括在所述氧化物覆盖层上并且穿过所述氧化物覆盖层中的蚀刻沟的源极金属。

8.根据权利要求7所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述源极金属设置于所述有源区与所述终端区；或者，所述源极金属设置于所述有源栅极沟槽与所述终端沟槽上方，未覆盖于所述多个沟槽保护环上方以使所述多个沟槽保护环形成浮动环结构。

9.根据权利要求8所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述源极金属电性连接至所述浮动环结构的多晶硅。

10.根据权利要求1所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述多个沟槽保护环的沟槽底部皆植入包括第二极性的沟槽底植入物。

11.根据权利要求10所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述高度掺杂衬底与所述外延层为N型掺杂；源极区为N型掺杂；所述沟槽底植入物为P型掺杂；所述有源栅极沟槽中设置有栅极多晶硅与屏蔽多晶硅，所述栅极多晶硅与所述屏蔽多晶硅分别通过重砷掺杂多晶硅和/或重磷掺杂多晶硅形成。

12.根据权利要求1所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，通道截断沟槽设置于所述终端区的外围，所述多个沟槽保护环位于所述有源区与所述通道截断沟槽之间。

13.根据权利要求12所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述终端沟槽内的多晶硅，与连接所述终端沟槽的所述多个有源栅极沟槽的栅极多晶硅，两者为电性连接。

14.根据权利要求1所述分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，所述有源栅极沟槽的末端延伸至所述终端区范围，以连接所述终端沟槽的沟槽，通过部分的所述有源栅极沟槽的末端与所述终端沟槽连接，以均匀所述终端区的电荷分布，消除所述终端区的电荷不平衡。