[实用新型]一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置有效
| 申请号： | 202121281872.1 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN215266193U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 何庆波;李汉生;蔡雪良;陆义;柳春根 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215316 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，可应用晶片边缘二氧化硅(SiO2)氧化膜去除(EOS)制程。该装置由蚀刻气罩、晶片篮及蚀刻台构成，蚀刻气罩头部有氢氟酸(HF)进气孔，进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，蚀刻管路上均匀分布出气小孔。晶片在贴附PET篮膜后直接转移到蚀刻台，晶片在晶片篮中膜面朝上方式放置，晶片篮用于放置待作业晶片及作业完毕的晶片，晶片篮两侧部分镂空，方便氢氟酸(HF)气体充分接触晶片边缘。另外，晶片篮H‑bar有一挡条，挡条宽度与蚀刻台限位槽一致。蚀刻台边缘均匀分布出气孔，用于形成稳定的蚀刻气流。蚀刻台上有一限位槽，宽度匹配晶片篮H‑Bar挡条，用于固定晶片篮放置位置。通过优化晶片篮操作方式和蚀刻工艺，能有效改善蚀刻良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 贴膜型 氧化 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
