[实用新型]一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置

权利要求书

1.一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：设有蚀刻气罩、晶片篮及蚀刻台，所述蚀刻气罩位于蚀刻台上方，所述蚀刻气罩能够罩于所述蚀刻台上构成密闭空间，所述蚀刻台上设有晶片篮，所述蚀刻气罩上开设有氢氟酸(HF)进气孔，所述氢氟酸(HF)进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，所述蚀刻管路上均匀分布出气小孔，所述蚀刻台边缘均匀分布出气孔。

2.根据权利要求1所述的一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：所述蚀刻气罩头部有氢氟酸(HF)进气孔，进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，蚀刻管路上均匀分布出气小孔。

3.根据权利要求1所述的一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：晶片在贴附保护膜后直接转移到蚀刻台，晶片在晶片篮中氧化膜面朝上方式放置，晶片篮用于放置待作业晶片及作业完毕的晶片，晶片篮两侧镂空，方便氢氟酸(HF)气体充分接触晶片边缘。

4.根据权利要求1所述的一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：所述晶片篮H-bar有一挡条，挡条宽度与蚀刻台限位槽一致。

5.根据权利要求1所述的一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：所述蚀刻台边缘均匀分布出气孔，用于形成稳定的蚀刻气流。

6.根据权利要求1所述的一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，其特征在于：所述蚀刻台上有一限位槽，宽度匹配晶片篮H-Bar挡条，用于固定晶片篮放置位置。