[实用新型]一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置

说明书

本实用新型提供一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，可应用晶片边缘二氧化硅(SiO2)氧化膜去除(EOS)制程。该装置由蚀刻气罩、晶片篮及蚀刻台构成，蚀刻气罩头部有氢氟酸(HF)进气孔，进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，蚀刻管路上均匀分布出气小孔。晶片在贴附PET篮膜后直接转移到蚀刻台，晶片在晶片篮中膜面朝上方式放置，晶片篮用于放置待作业晶片及作业完毕的晶片，晶片篮两侧部分镂空，方便氢氟酸(HF)气体充分接触晶片边缘。另外，晶片篮H‑bar有一挡条，挡条宽度与蚀刻台限位槽一致。蚀刻台边缘均匀分布出气孔，用于形成稳定的蚀刻气流。蚀刻台上有一限位槽，宽度匹配晶片篮H‑Bar挡条，用于固定晶片篮放置位置。通过优化晶片篮操作方式和蚀刻工艺，能有效改善蚀刻良率。

技术领域

本实用新型与半导体生产过程中的晶片边缘二氧化硅氧化膜去除工艺有关；具体涉及一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置及方法。

背景技术

半导体晶圆制造过程中有一个氧化膜去除(EOS)制程，用于去除边缘或延伸至晶片抛光面的二氧化硅(SiO2)沉积层，以利于后道外延工序中形成结构和电学性能良好的外延层。蚀刻工艺之一有贴膜型蚀刻工艺。该工艺中会先在晶片表面贴附保护膜，外露要蚀刻去除的部分，然后翻转晶片篮至水平放置在泡酸提篮中，再放入氢氟酸(HF)酸液中浸泡去除边缘氧化层。在翻转和浸泡过程中，晶片蓝膜边缘容易受冲击导致漏酸不良。同时，EOS蚀刻状况受液相边缘浸润状态的影响。作业边缘异常浸润不良的规格晶片时，晶片边缘易出现不平整的不良模式，蚀刻良率状况较差。如要改善浸润状况，需要重新优化保护膜的粘度、尺寸和压合力度等参数，工作相当繁琐。本装置和方法中保护膜贴附后无需翻转晶片篮，可直接转移至蚀刻台，所使用的气体蚀刻方式无液相浸润问题。且气相蚀刻下，晶片氧化层边缘晕带宽度更窄，外观更优。

实用新型内容

为了改善上述情况，本实用新型的目的在于提供一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置及方法。

本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现：一种改善贴膜型氧化层蚀刻良率的装置，用于半导体生产过程中的晶片边缘二氧化硅氧化膜去除工艺，所述装置包括：蚀刻气罩、晶片篮及蚀刻台，所述蚀刻气罩位于蚀刻台上方，所述蚀刻气罩能够罩于所述蚀刻台上构成密闭空间，所述蚀刻台上设有晶片篮，所述蚀刻气罩上开设有氢氟酸(HF)进气孔，所述氢氟酸(HF)进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，所述蚀刻管路上均匀分布出气小孔，所述蚀刻台边缘均匀分布出气孔。

本实用新型所采用的技术方案：该装置的蚀刻气罩头部有氢氟酸(HF)进气孔，进气孔与蚀刻气罩内部均匀分布的蚀刻管路联通，蚀刻管路上均匀分布出气小孔。

本实用新型所采用的技术方案：晶片在贴附保护膜后直接转移到蚀刻台，晶片在晶片篮中氧化膜面朝上方式放置，晶片篮用于放置待作业晶片及作业完毕的晶片，晶片篮两侧镂空，方便氢氟酸(HF)气体充分接触晶片边缘。

本实用新型所采用的技术方案：该装置的晶片篮H-bar有一挡条，挡条宽度与蚀刻台限位槽一致。

本实用新型所采用的技术方案：该装置的蚀刻台边缘均匀分布出气孔，用于形成稳定的蚀刻气流。

本实用新型所采用的技术方案：该装置的蚀刻台上有一限位槽，宽度匹配晶片篮H-Bar 挡条，用于固定晶片篮放置位置。

基于上述，本实用新型的优点与特点是，本装置能有效改善传统贴膜型蚀刻工艺的不足，本装置和方法中保护膜贴附后无需翻转晶片篮，可直接转移至蚀刻台，所使用的气体蚀刻方式无液相浸润问题。且在气相蚀刻下，晶片氧化层边缘晕带宽度更窄，外观更优。通过优化晶片篮操作方式和蚀刻工艺，能有效改善蚀刻良率并提高生产效率。

附图说明

图1为本实用新型的平面结构示意图。

图2为本实用新型中晶片篮的平面结构示意图。

附图标号说明：