[发明专利]一种带有p-SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN-HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种带有p‑SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si‑Ir‑SrTiO3复合衬底、高质量金刚石单晶外延层、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层，GaN/AlGaN异质结、p‑SnO栅帽层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，通过引入p‑SnO栅帽层使之变为常关型的E‑mode器件，金刚石结构衬底的引入大幅增强了器件的散热能力，提升了性能，相对于传统的超结结构，能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，提升了器件的击穿电压，能更好的发挥器件的栅控能力，使器件的阈值电压正向漂移，有益于常关型的E‑mode器件的制作与后续同质衬底上CMOS反相器链的制作。