[发明专利]三维存储器及其制备方法和三维存储器系统

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法和三维存储器系统，三维存储器包括：堆叠层、下沟道牺牲结构和第一虚拟沟道结构，堆叠层位于半导体层上且包括：台阶部；核心部，位于所述台阶部的相对两侧；以及堆叠墙，桥接所述核心部且连接所述台阶部的靠近所述半导体层的一部分；下沟道牺牲结构贯穿所述堆叠墙并设置在所述半导体层中；第一虚拟沟道结构贯穿所述台阶部并设置在所述半导体层中，第一虚拟沟道结构的径向尺寸大于所述下沟道牺牲结构的径向尺寸。本申请的三维存储器的下沟道牺牲结构能够支撑堆叠墙且使堆叠墙的电阻可控。