[发明专利]一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法有效
| 申请号： | 202111616596.4 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114411259B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王金灵;周铁军;马金峰;罗小龙 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/06 |
| 代理公司： | 清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815 | 代理人： | 龚元元 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒。本发明方法能够显著降低杂质含量及增加合成多晶棒的直径，可用于制造性能优越的半绝缘单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 砷化镓 多晶 及其 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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