[发明专利]晶体管单元及其阵列、集成电路

摘要

本公开实施例公开了一种晶体管单元及其阵列、集成电路。其中，晶体管单元包括：衬底；N条栅极，均位于衬底上；N条栅极在衬底表面的投影形成封闭的形状；N为大于2的正整数；第一源区；位于衬底中，且第一源区在衬底表面的投影位于封闭的形状中；第一源区被N条栅极共用；N个漏区；位于衬底中，且N个漏区中的每个漏区均和源区分居N条栅极中相应栅极的两侧；多个第一源端导电插栓，位于第一源区上，并与第一源区电接触；每个漏区设置有多个漏端导电插栓，且多个漏端导电插栓与漏区电接触；第一源端金属层，位于第一源端导电插栓上，并与所有的第一源端导电插栓电接触；漏端金属层，位于漏端导电插栓上，并与所有的漏端导电插栓电接触。