[发明专利]晶体管单元及其阵列、集成电路

权利要求书

1.一种晶体管单元，其特征在于，包括：

衬底；

N条栅极，均位于衬底上；所述N条栅极在衬底表面的投影形成封闭的形状；N为大于2的正整数；

第一源区，位于衬底中且在衬底表面的投影位于所述封闭的形状中；所述第一源区被所述N条栅极共用；

N个漏区，位于衬底中，所述N个漏区中的每个均和所述第一源区分居所述N条栅极中相应栅极的两侧；

多个第一源端导电插栓，位于所述第一源区上并与所述第一源区电接触；

每个所述漏区上设置有多个漏端导电插栓，且所述多个漏端导电插栓与所述漏区电接触；

第一源端金属层，位于所述第一源端导电插栓上并与所有的所述第一源端导电插栓电接触；

漏端金属层，位于所述漏端导电插栓上并与所有的所述漏端导电插栓电接触。

2.根据权利要求1所述的晶体管单元，其特征在于，所述晶体管单元还包括：N个第二源区、第二源端导电插栓，以及N个第二源端金属层；其中，

所述N个第二源区位于所述衬底中；所述N个第二源区中的每个在所述衬底表面的投影均位于所述封闭的形状外，且与所述漏区分居相应栅极的两侧；

每个所述第二源区上设置有多个所述第二源端导电插栓，且所述多个第二源端导电插栓与所述第二源区电接触；

所述N个第二源端金属层中的每个分别位于N个第二源区中相应第二源区上，并与相应第二源区上的所有第二源端导电插栓电接触。

3.根据权利要求2所述的晶体管单元，其特征在于，所述N为3、4、5或者6。

4.根据权利要求3所述的晶体管单元，其特征在于，N＝4。

5.根据权利要求4所述的晶体管单元，其特征在于，所述N条栅极在衬底表面的投影形成的封闭形状为正方形。

6.根据权利要求2-5任一项所述的晶体管单元，其特征在于，所述N个第二源区的面积之和等于所述第一源区的面积。

7.根据权利要求2所述的晶体管单元，其特征在于，

所述多个第一源端导电插栓沿平行于所述N条栅极中任一栅极的延伸方向相互间隔地对齐排布，构成平行于任一栅极的M个第一源端导电插栓排；

每个第二源区中的所述多个第二源端导电插栓沿平行于相应栅极方向相互间隔地对齐排布，构成平行于相应栅极的K个第二源端导电插栓排；

每个漏区中的所述多个漏端导电插栓沿平行于相应栅极方向相互间隔地对齐排布，构成平行于相应栅极的P个漏端导电插栓排；

其中，M、K、P均为正整数。

8.根据权利要求2所述的晶体管单元，其特征在于，所述第一源区上第一源端导电插栓的总数量与所述N个第二源区上第二源端导电插栓的总数量相同。

9.根据权利要求2所述的晶体管单元，其特征在于，所述第一源端导电插栓、所述第二源端导电插栓及所述漏端导电插栓的形状、尺寸均相同。

10.根据权利要求9所述的晶体管单元，其特征在于，所述第一源端导电插栓、所述第二源端导电插栓及所述漏端导电插栓在衬底表面的正投影均为长条状。

11.根据权利要求2所述的晶体管单元，其特征在于，

所述晶体管还包括多个源端接触，分别位于所述第一源端金属层和所述第二源端金属层上并分别与所述第一源端金属层电接触或所述第二源端金属层电接触；

所述晶体管还包括漏端接触，位于所述漏端金属层上并与所述漏端金属层电接触。

12.根据权利要求11所述的晶体管单元，其特征在于，所述源端接触和所述漏端接触在衬底表面的投影呈点状分布。