[发明专利]半导体氧化物晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111597808.9 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116207127A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孟敬恒;曾明;韩宝东;罗杰;平延磊;李永杰 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区亦庄经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体氧化物晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、第一绝缘层、有源层、栅极、源极、漏极、栅极绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层设置于衬底上，第一绝缘层包括容槽；有源层设置于所述容槽中，有源层包括第一部分有源层和第二部分有源层；栅极绝缘层设置于栅极与第一部分有源层和第二部分有源层之间；源极和漏极相对设置于第二部分有源层上表面；第二绝缘层填充于源极和漏极周边。制备方法包括在衬底上通过沉积工艺和图形化工艺形成容槽；以向容槽内填充的方式形成有源层；在有源层上制备场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氧化物 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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