[发明专利]红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板有效
| 申请号： | 202111569684.3 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114497297B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 谷鹏军 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板。因为有源层中自靠近N型半导体层的一端到靠近P型半导体层的一端，各阱层的厚度逐渐增大，这样可以使得电子在有源层中快速移动的路径逐渐变长，从而使得自N型半导体层侧注入的电子穿越有源层的时间变长，给从P型半导体层注入的空穴提供的更多的移动时间，提升了电子在有源层中迁移时遭遇空穴的几率，也即提升了电子与空穴复合的概率，增加了红光外延层的内量子效率；同时，也避免了未在有源层中与空穴复合的电子进入到P型半导体层后与空穴复合，辐射出不被期望的波段的光的问题，提升了基于该红光外延层所制得的红光LED芯片的出光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 外延 及其 生长 方法 led 芯片 显示 面板 | ||
【主权项】：
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