[发明专利]红光外延层及其生长方法、红光LED芯片及显示面板

权利要求书

1.一种红光外延层，其特征在于，包括：

N型半导体层；

P型半导体层；以及

介于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的有源层；

其中，所述有源层包括多个交替层叠的阱层与垒层，且自靠近所述N型半导体层的一端到靠近所述P型半导体层的一端，所述有源层中各所述阱层的厚度逐渐增大；所述垒层为含Al垒层，自靠近所述N型半导体层的一端到靠近所述P型半导体层的一端，各所述垒层中Al组分含量呈等差数列降低，以使各所述垒层的势垒逐渐降低。

2.如权利要求1所述的红光外延层，其特征在于，自靠近所述N型半导体层的一端到靠近所述P型半导体层的一端，各所述阱层的厚度呈等差数列增大。

3.如权利要求2所述的红光外延层，其特征在于，自靠近所述N型半导体层的一端到靠近所述P型半导体层的一端，第i个所述阱层的厚度为5+0.1*(i-1)纳米，所述i＝1,2,…I，所述I为所述有源层中所述阱层的总数，所述I为13～26之间的整数。

4.如权利要求1所述的红光外延层，其特征在于，所述有源层中所述阱层与所述垒层交替层叠的周期数为20，且所述有源层两端均为所述阱层。

5.如权利要求1-4任一项所述的红光外延层，其特征在于，所述垒层中包含(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，0.7≤y≤0.9。

6.如权利要求1-4任一项所述的红光外延层，其特征在于，自靠近所述N型半导体层的一端到靠近所述P型半导体层的一端，第j个所述垒层中y的取值为0.9-(j-1)*0.01，所述j＝1,2,…J，所述J为所述有源层中所述垒层的总数，所述J为12～25之间的整数。

7.一种红光LED芯片，其特征在于，包括：

如权利要求1-6任一项所述的红光外延层；

与所述红光外延层中N型半导体层电连接的N电极；以及

与所述红光外延层中P型半导体层电连接的P电极。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

驱动背板；以及

多颗设置在所述驱动背板上的红光LED芯片，所述红光LED芯片包括N电极、P电极以及如权利要求1-6任一项所述的红光外延层，所述N电极、P电极分别与所述红光外延层中的N型半导体层、P型半导体层电连接。

9.一种红光外延层生长方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的红光外延层的生长，所述红光外延层生长方法包括：

生长N型半导体层；

在所述N型半导体层上交替生长阱层与垒层多个周期以形成有源层，所述垒层为含Al垒层，且沿着所述有源层的生长方向，各所述阱层的厚度逐渐增大，各所述垒层中Al组分含量呈等差数列降低，以使各所述垒层的势垒逐渐降低；以及

在所述有源层上生长P型半导体层。