[发明专利]P型MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111565279.4 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114242656A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;罗杰馨 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种P型MOSFET器件及其制备方法。方法包括步骤：提供半导体基底，内定义有若干有源区以及浅沟槽隔离结构，有源区表面形成有垫氧化层；对有源区进行N型深阱离子注入；去除垫氧化层；形成牺牲氧化层；对有源区依次进行隔离元素注入、氪元素注入和阈值电压调节元素注入以依次形成隔离元素注入层、氪元素注入层和阈值电压调节元素注入层；进行高温退火，以修复损伤并激活杂质；去除牺牲氧化层；形成栅极介质、栅极和源漏电极。本发明通过先去除已经受损的垫氧化层再重新生成牺牲氧化层，然后在N型阱区注入阈值电压调节元素之前增加一步非晶化氪离子注入，可以显著提高阈值电压调节元素离子注入的均匀性，从而可以减少阈值电压局部波动，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111565279.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蔬菜简易水槽育苗方法
- 下一篇：一种塔顶系统露点腐蚀防控方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
