[发明专利]一种发光二极管外延片制备方法及外延片在审
| 申请号： | 202111564896.2 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114420801A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李晨幼 |
| 地址： | 330224 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在制备应力释放层时，通过增大氨气的比例，降低逆反应和副反应产生的碳杂质含量，进而降低了碳杂质对电子和空穴复合的干扰，提高了所制备得到的外延片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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