[发明专利]具有用于结控制的掺杂控制层的鳍式晶体管在审
| 申请号： | 202111559080.0 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114649401A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | M·梅赫罗特拉 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请题为“具有用于结控制的掺杂控制层的鳍式晶体管”。在所描述的示例中，一种集成电路(100)包括半导体材料的衬底(106)、源极区(1704)、栅极区(1400)、漏极区(1902)和形成在衬底(106)上的鳍式结构(102、104)。鳍式结构(102、104)包括栅极区(1400)、源极区(1704)以及在栅极区(1400)和漏极区(1902)之间的漂移区。掺杂控制层(108、122、124)在漂移区上方沿着鳍式结构(102、104)的至少一个侧壁形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 控制 掺杂 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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