[发明专利]具有用于结控制的掺杂控制层的鳍式晶体管

权利要求书

1.一种集成电路IC，其包括：

半导体材料的衬底；

鳍式晶体管，其包括：

栅极区；

源极区；

形成于所述栅极区和所述源极区之间的沟道区；

漏极区；

鳍式结构，其形成于所述衬底上或上方，所述鳍式结构包括所述栅极区、所述源极区以及在所述沟道区与所述漏极区之间的漂移区；和

掺杂控制层，其在所述漂移区上方沿着所述鳍式结构的至少一个侧壁形成。

2.根据权利要求1所述的IC，其中所述掺杂控制层包括沿着围绕所述沟道区和所述漏极区之间的所述漂移区的所述鳍式结构的每个侧壁形成的连续掺杂区。

3.根据权利要求1所述的IC，其中所述掺杂控制层包括沿着所述鳍式结构的长度彼此间隔开的边缘，所述间隔开的边缘之间的所述掺杂控制层的宽度小于所述沟道区和所述漏极区之间的距离。

4.根据权利要求1所述的IC，其中所述掺杂控制层包括多个掺杂控制区，所述多个掺杂控制区沿着所述沟道区和所述漏极区之间的所述鳍式结构彼此间隔开。

5.根据权利要求1所述的IC，其中所述掺杂控制层还包括在所述鳍式结构的至少一部分下方的所述衬底中形成的掩埋掺杂层。

6.根据权利要求5所述的IC，其中沿着所述鳍式结构的所述至少一个侧壁形成的所述掺杂控制层延伸到所述衬底中以接触所述掩埋掺杂层。

7.根据权利要求1所述的IC，其中所述鳍式结构的所述漂移区具有第一导电类型并且所述掺杂控制层具有相反的第二导电类型。

8.根据权利要求1所述的IC，其还包括形成在所述衬底上方的氧化层，所述氧化层从所述衬底的表面沿着所述鳍式结构的侧壁的一部分延伸，以将所述鳍式晶体管与所述IC上的其他电路系统电隔离。

9.根据权利要求1所述的IC，其还包括：

耦合到所述鳍式结构的鳍式触点，所述鳍式触点适于耦合到电压源。

10.根据权利要求9所述的IC，其还包括：

源极触点，其耦合到所述源极区；和

连接器，其耦合在所述鳍式触点和所述源极触点之间。

11.根据权利要求1所述的IC，其中所述鳍式晶体管是第一鳍式晶体管并且所述鳍式结构是第一鳍式结构，所述IC还包括：

第二鳍式晶体管，其包括：

第二鳍式结构，其形成在所述衬底上并与所述第一鳍式结构间隔开，

所述第二鳍式结构包括：

第二源极区；

第二栅极区；

第二沟道区，其位于所述第二源极区与所述第二栅极区之间；

第二漏极区；和

在所述第二鳍式结构中的第二漂移区，其位于所述第二沟道区和所述第二漏极区之间；和

第二掺杂控制层，其沿着所述第二鳍式晶体管的所述第二漂移区的至少一部分。

12.一种集成电路IC，其包括：

鳍式结构，其形成在半导体衬底上，所述鳍式结构包括鳍式晶体管，所述鳍式晶体管包括：

源极区，其形成在所述鳍式结构中；

漏极区，其形成在所述鳍式结构中；

栅极区，其在所述源极区和所述漏极区之间形成在所述鳍式结构中；

沟道区，其在所述栅极区和所述源极区之间形成在所述鳍式结构中；

漂移区，其在所述沟道区和所述漏极区之间形成在所述鳍式结构中；和

形成在所述衬底中的掩埋掺杂层，其在漂移区的至少一部分下方延伸。

13.根据权利要求12所述的IC，其中所述掩埋掺杂层至少与所述鳍式结构共同延伸并在所述鳍式结构下方延伸。