[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111547575.1 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN116053235A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 庄坤树 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件包括衬底、多个焊盘、钝化层、介电层以及多个导电凸块。焊盘设置于衬底上。钝化层设置于衬底上，且钝化层暴露焊盘。介电层覆盖部分钝化层并包括多个介电层开口以暴露焊盘，其中介电层的材料包括有机材料。导电凸块设置于介电层开口内并连接焊盘，其中导电凸块之间的间距等于或小于20微米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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