[发明专利]一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202111540545.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114214725A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张福生;陈秀芳;李晓蒙;邵辰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法，该方法主要包括硅面形成全覆盖石墨烯、超声剥离表面石墨烯获得仅有缓冲层样品和将缓冲层转化为近自由态单层石墨烯，本发明中使用分步法制备近自由态单层石墨烯，有效地利用碳化硅单晶衬底硅面外延生长石墨烯的机理及缓冲层的结构特点，插入外来原子将缓冲层转化为近自由态石墨烯。本发明方法生长的近自由态单层石墨烯质量、表面形貌、电学性能有大幅度提高，可在超快逻辑电路、光电探测器、激光调Q和高频射频器件等领域广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 衬底 制备 自由 单层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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