[发明专利]单晶金刚石生长用沉积基底及单晶金刚石的制造方法在审
| 申请号： | 202111527109.7 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114182342A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 冯曙光;于金凤;李光存 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开一种单晶金刚石生长用沉积基底及单晶金刚石的制造方法本申请中单晶金刚石生长用沉积基底，结构包括：第一层为带图案的硅基底；第二层为过度层；第三层为金属铱层。其次，本申请公开了单晶金刚石生长用基底的预处理方法：a.刻蚀带图案的硅基底；b.磁控溅射：过渡层溅射，溅射厚度为40nm‑0.2μm，金属铱溅射，厚度为50‑200nm；c.抛光，对所述金属铱层进行机械抛光，除去凸起部分的金属铱；d，清洗，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗5‑10min。另外，在预处理后的单晶金刚石生长用沉积基底上进行单晶金刚石的制造，包括以下步骤：步骤一，偏压增强形核；步骤二，单晶金刚石生长。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 生长 沉积 基底 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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