[发明专利]一种氮化物异质结器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111521811.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114242781A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;蔡文必;刘波亭;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种氮化物异质结器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供硅衬底，硅衬底的表面为(100)晶面；湿法腐蚀硅衬底表面形成凹槽，凹槽的表面为(111)晶面；在凹槽内的(111)晶面上外延生长覆盖凹槽的平坦层，由于凹槽表面为(111)晶面，因此，覆盖于凹槽的平坦层能够与硅衬底表面进行良好的晶格适配，从而获得高质量的平坦层。平坦层覆盖凹槽且与硅衬底的底面平行，便于获得一个顶面较为平坦的衬底结构。接着，继续在平坦层顶面外延生长氮化物异质结，由于氮化物异质结能够与平坦层形成较好的晶格匹配，就可以获得高质量的氮化物异质结，同时，由于平坦层顶面较为平整，能够进一步的提高氮化物异质结的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 异质结 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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