[发明专利]一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法在审

专利信息
申请号: 202111508406.7 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114267600A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 张晏宁;刘一霖;张世华 申请(专利权)人: 如皋市远亚电子有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/488;H01L29/861
代理公司: 苏州睿翼专利代理事务所(普通合伙) 32514 代理人: 朱林辉
地址: 215000 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法,包括以下步骤:S1、芯片的活化:对二极管芯片的外表面进行化学处理,使二极管芯片外表面形成焊接中间体,该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接;S2、芯片的初装;S3、芯片的焊接:将石墨舟放入送入焊接炉,使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合;S4、芯片的处理:采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗,涂护封用胶,进行胶固化;S5、芯片的塑封:采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。本发明二极管制造工艺中采用银铜锌合金焊片取代传统生产工艺中的铅锡银合金焊片,既保证了二极管优异的耐热性能,又达到无铅的欧盟标准。
搜索关键词: 一种 采用 芯片 封装 制备 二极管 方法
【主权项】:
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