[发明专利]一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法在审
申请号: | 202111508406.7 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114267600A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 张晏宁;刘一霖;张世华 | 申请(专利权)人: | 如皋市远亚电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/488;H01L29/861 |
代理公司: | 苏州睿翼专利代理事务所(普通合伙) 32514 | 代理人: | 朱林辉 |
地址: | 215000 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 芯片 封装 制备 二极管 方法 | ||
本发明公开了一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法,包括以下步骤:S1、芯片的活化:对二极管芯片的外表面进行化学处理,使二极管芯片外表面形成焊接中间体,该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接;S2、芯片的初装;S3、芯片的焊接:将石墨舟放入送入焊接炉,使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合;S4、芯片的处理:采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗,涂护封用胶,进行胶固化;S5、芯片的塑封:采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。本发明二极管制造工艺中采用银铜锌合金焊片取代传统生产工艺中的铅锡银合金焊片,既保证了二极管优异的耐热性能,又达到无铅的欧盟标准。
技术领域
本发明属于二极管生产技术领域,尤其涉及一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法。
背景技术
二极管是最常用的电子元件之一,最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路也主要是由二极管来构成的。
二极管在市场上的应用十分广泛,中国加入WTO后其需求量也就越来越高,但欧盟提出无铅的标准要求,而且延期十年时间已快结束。目前二极管,是采用芯片、铅锡银焊料和引线进行温度300℃以上焊接,再对OJ芯片台面进行酸碱清洗处理,然后再涂保护硅胶并进行胶固化等。也有生产厂家采用200℃左右的合金焊料来试验,虽然解决无铅问题,但使得二极管耐焊接热下降,无法满足二极管正常焊接的耐焊接热要求。面对这样背景,迫切需要一种新的工艺方法来替代目前生产工艺。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法,以解决现有技术中存在的问题。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法,包括以下步骤:
S1、芯片的活化:对二极管芯片的外表面进行化学处理,使二极管芯片外表面形成焊接中间体,该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接;
S2、芯片的初装:在插满铜引线的石墨舟孔中装上一层银铜锌合金焊片,再装上一层活化过的芯片,在芯片上再装一层银铜锌合金焊片,将一盘插满铜引线的石墨舟翻转合好并压实;
S3、芯片的焊接:将石墨舟放入送入焊接炉,使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合;
S4、芯片的处理:采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗,涂护封用胶,进行胶固化;
S5、芯片的塑封:采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。
本发明一个较佳实施例中,步骤S1中,采用电解液对二极管芯片外表面进行活化处理,形成焊接中间体。
本发明一个较佳实施例中,步骤S3中,焊接炉内的温度为450℃~800℃。
本发明一个较佳实施例中,步骤S3中,焊接炉内处理的时间为10min~15min。
本发明一个较佳实施例中,步骤S4中,清洗液为酸性药液或碱性药液。
本发明一个较佳实施例中,步骤S4中,采用的胶为硅胶或聚酰亚氨PI胶。
本发明一个较佳实施例中,步骤S5中,采用的塑封材料为环氧树脂模塑料。
本发明解决了背景技术中存在的缺陷,本发明具备以下有益效果:
本发明二极管制造工艺中采用银铜锌合金焊片取代传统生产工艺中的铅锡银合金焊片,既保证了二极管优异的耐热性能,又达到无铅的欧盟标准。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明;
图1为本发明优选实施例的流程图;
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于如皋市远亚电子有限公司,未经如皋市远亚电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111508406.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于区块链的应用系统的用户认证方法及系统
- 下一篇:一种艾叶自动分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造