[发明专利]一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法在审
| 申请号： | 202111508406.7 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114267600A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张晏宁;刘一霖;张世华 | 申请（专利权）人： | 如皋市远亚电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/488;H01L29/861 |
| 代理公司： | 苏州睿翼专利代理事务所(普通合伙) 32514 | 代理人： | 朱林辉 |
| 地址： | 215000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 芯片 封装 制备 二极管 方法 | ||
1.一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、芯片的活化：对二极管芯片的外表面进行化学处理，使二极管芯片外表面形成焊接中间体，该焊接中间体能够与银铜锌合金焊片进行充分焊接；
S2、芯片的初装：在插满铜引线的石墨舟孔中装上一层银铜锌合金焊片，再装上一层活化过的芯片，在芯片上再装一层银铜锌合金焊片，将一盘插满铜引线的石墨舟翻转合好并压实；
S3、芯片的焊接：将石墨舟放入送入焊接炉，使银铜锌合金焊片、芯片以及金属铜引线充分熔合；
S4、芯片的处理：采用清洗液对焊接后的芯片进行清洗，涂护封用胶，进行胶固化；
S5、芯片的塑封：采用塑封材料对焊接后的芯片进行塑封。
2.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S1中，采用电解液对二极管芯片外表面进行活化处理，形成焊接中间体。
3.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S3中，焊接炉内的温度为450℃～800℃。
4.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S3中，焊接炉内处理的时间为10min～15min。
5.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S4中，清洗液为酸性药液或碱性药液。
6.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S4中，采用的胶为硅胶或聚酰亚氨PI胶。
7.根据权利要求1所述的一种采用芯片封装制备无铅二极管的方法，其特征在于，步骤S5中，采用的塑封材料为环氧树脂模塑料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
