[发明专利]一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液有效
| 申请号： | 202111501522.6 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114369460B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张庭;贺兆波;李金航;李鑫;尹印;万杨阳;武昊冉 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、非离子型表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入抑制剂，提高蚀刻液的粘度，增加传质阻力，降低二氧化硅的蚀刻速率；非离子型表面活性剂则用于降低蚀刻液表面张力，提高浸润性，减小凹型沟槽结构上、中、下层二氧化硅蚀刻速率的差异。本发明所述的蚀刻液能够使凹型沟槽结构的上、中、下层蚀刻速率差异降低，保持上、中、下层的二氧化硅蚀刻速率基本一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 结构 二氧化硅 蚀刻 均匀 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北兴福电子材料股份有限公司，未经湖北兴福电子材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111501522.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具备砂泥含量快速辨识的检测仪
- 下一篇：一种氮化铝和硅的高选择性蚀刻液
- 同类专利
- 一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-202310795473.4
- 侯军;武文东;赵晓莹;田继升 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-30 - 2023-10-27 - C09K13/08
- 本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
- 一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途-202310780439.X
- 侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-29 - 2023-10-27 - C09K13/08
- 本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
- 一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液、其制备方法与用途-202310760835.6
- 侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-27 - 2023-10-27 - C09K13/08
- 本发明涉及一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：49％的氢氟酸2‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合功能剂0.1‑10份；去离子水10‑60份。复合功能剂是由醚类化合物和胺类化合物复配得到。本发明还公开了该蚀刻液的制备方法以及使用方法。本发明的复合功能剂中胺类化合物具有胺基特性，可与氟离子发生反应，从而更好地分散在体系中；酚醚中的羟基和醚键，可与水分子形成氢键，使得蚀刻液体系中各组分分子结合更紧密，溶液更稳定。本发明的蚀刻液具有低表面张力、高铺展性能的优势，因其组分的高分散性能，避免了制备工艺因长时间搅拌带来的蚀刻液有效组分挥发的问题，可以广泛应用于二氧化硅薄膜蚀刻领域。
- 氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-202010554003.5
- 柳浩成;金明炫;李浚银 - OCI有限公司
- 2020-06-17 - 2023-10-27 - C09K13/08
- 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，通过将氨基酸类、硫酯类(thioester)或酯类基团引入胶体二氧化硅粒子之间来防止硅类颗粒的产生，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。
- 一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液及其制备方法-202310761188.0
- 侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-27 - 2023-10-13 - C09K13/08
- 本发明涉及一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：49％的氢氟酸5‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合改性剂0.5‑10份；润湿流平剂0.1‑1份；去离子水20‑60份。复合改性剂是阴阳离子表面活性剂的复配物；润湿流平剂为氟改性有机硅聚合物。同时本发明提供了利用上述蚀刻液对二氧化硅结构片进行蚀刻的方法。本发明采用复合改性剂不仅可以提高表面活性，降低表面张力，还可以提高各组分在基材表面的吸附量，表面吸附层分子排列更加紧密。复合改性剂和润湿流平剂一方面可以使溶液体系表面张力降低；另一方面可以使蚀刻角度减小，孔结构可控。同时氟的引入可显著降低蚀刻液的表面张力，提高对基材的润湿性，整体复合了流平、润湿和消泡功能。
- 一种LED粗化液，其制备方法与应用-202310780436.6
- 侯军;田继升;武文东;曲延琦;孙昊然 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-29 - 2023-10-13 - C09K13/08
- 本发明提供一种LED粗化液，其制备方法与应用，所述LED粗化液包括重量配比如下的各组分：无机酸10‑20份；有机酸10‑20份；烷基盐类化合物0.01‑0.1份；铵盐20‑40份；超纯水20‑60份。所述烷基盐类化合物为烷基溴化铵和/或烷基磺酸钠。本发明还公开了LED粗化液的制备方法。本发明LED粗化液具有粗化颗粒细密、LED表面粗化均匀的特性，能应用于Mini/Micro‑LED领域，能够有效增加红黄光Mini/Micro‑LED的外量子效率，提高提亮比，解决由于折射率过大而造成的AlGaInP外延发光效率低的问题。解决了现有技术中技术问题。
- 一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-202310795462.6
- 侯军;武文东;赵晓莹;孙昊然 - 浙江奥首材料科技有限公司
- 2023-06-30 - 2023-10-10 - C09K13/08
- 本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
- 一种适用于多相金属矿物的高效腐蚀剂及制备方法-202210523131.2
- 方仁强;胡涛 - 武汉汉烯科技有限公司
- 2022-05-13 - 2023-10-10 - C09K13/08
- 本发明公开了一种适用于多相金属矿物的高效腐蚀剂，包括30‑50重量份的去离子水，12‑14重量份的氨基磺酸、2‑4重量份的氟化氢铵、2‑4重量份的柠檬酸，0.5‑2重量份的氯化铵、20‑40重量份的DMF、0.4‑0.6重量份的次氯酸钠。本发明中，腐蚀剂采用水‑DMF混合溶液，充分溶解后加入少量次氯酸钠，产生氯气并溶于DMF中，利用氯气及水中电离的氢离子对金属进行蚀刻，其他成分如柠檬酸，氯离子，氟离子以及铵根能够对金属离子进行高效的络合，从而暴露金属表面，使反应进行下去，这种络合剂除了产生的微量氯气以及微量挥发的DMF外，没有其他污染物，相较于传统金属腐蚀剂有更大的安全保障和环保效果。
- 一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用-202310045359.X
- 李祥庆 - 江苏美阳电子材料有限公司
- 2023-01-30 - 2023-10-03 - C09K13/08
- 本发明公开了一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用，本发明通过采用聚醚改性聚二甲基硅氧烷、十二烷基硫酸钠和硬脂酸单甘油酯进行复配，所制备的缓冲氧化腐蚀液具有较低的表面张力，表面张力可低至10‑16达因，使得其能够用于腐蚀硅基片表面的小孔径，同时通过加入1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体，在金属的表面形成一层致密的缓蚀剂膜，对金属起到一定的保护效果；此外，由于1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体不溶于水，本发明中的复合表面活性剂能够对1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体起到良好的分散效果，使其能更好的沉积在金属的表面，从而降低了氧化腐蚀液对金属的腐蚀。
- 蚀刻剂-202310182445.5
- 梁伸赫;金范洙;赵现洙;金志训;尹暎晋;李恩远;姜东汉;朴芝焄;许宗茂 - 三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
- 2023-03-01 - 2023-09-22 - C09K13/08
- 本申请提供了蚀刻剂。该蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中所述第一化合物为含有以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且蚀刻剂的界面渗透抑制指数(Y)为至少约0.10且不大于约0.35的值，界面渗透抑制指数(Y)是通过方程式1计算的值：方程式1Y＝1.4×10
- 选择性移除金属氧化物硬掩模-202180091371.3
- 蔡升贤;洪性辰;E·洪;余珠姬;金元来;梁正烈 - 恩特格里斯公司
- 2021-12-22 - 2023-09-15 - C09K13/08
- 本发明提供在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)存在下可用于选择性蚀刻(即移除)金属氧化物硬掩模(如氧化锆和氧化铪)的组合物，所述硬掩模通常用作微电子装置中的硬掩模。
- 一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液及蚀刻方法-202211186904.9
- 王燕清;陈立航;杨佐东 - 重庆臻宝科技股份有限公司
- 2022-09-28 - 2023-09-05 - C09K13/08
- 本发明公开了一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，属于蚀刻技术领域，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、山梨醇、聚氧乙烯醚化合物，按重量份计：氟化铵10‑18份、硝酸钾11‑15份、硫酸40‑45份、过硫酸铵0.5‑1.5份、山梨醇0.5‑1.5份、聚氧乙烯醚化合物0.3‑0.8份、氢氟酸0.5‑1.5份、磷酸脂盐0.7‑1.3份；还公开了一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，包括如下步骤：S1、称取氯化铵后加水溶解，加入硝酸钾、硫酸、过硫酸铵搅拌均匀并冷却，再加入山梨醇、聚氧乙烯醚化合物后加余量水定容；S2、将混合溶液加热至30‑50℃，放入表面设有若干个微孔的硅产品进行蚀刻。本发明工艺简单，便于大批量生产蚀刻液，且制备的蚀刻液蚀刻效果好。
- 一种蚀刻液的制备方法-202310669810.5
- 张建;巩强;林向阳;彭绍辉;周水晶;王凯慧 - 浙江芯秦微电子科技有限公司
- 2023-06-07 - 2023-09-01 - C09K13/08
- 本申请涉及蚀刻液制备技术领域，公开了一种蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：步骤一、取得高纯度的氟硅酸钠和过氧化氢；步骤二、采用微观流控技术将氟硅酸钠和过氧化氢放入装有高纯度的水的超声波反应皿中，在室温下进行反应直到反应结束；步骤三、反应结束后，加入稳定剂、缓冲剂，并搅拌均匀；步骤四、再依次加入表面活性剂、矿物酸、有机酸、金属离子，充分搅拌后过滤得到蚀刻液，其pH值为2‑4；所述氟硅酸钠的纯度大于99.999％。通过以高纯度的氟硅酸钠、过氧化氢和水混合反应制备得到蚀刻液，使蚀刻液的蚀刻速率伴随蚀刻液中氟硅酸钠与过氧化氢的浓度变化而产生变化，进而实现了蚀刻液蚀刻速率可调的效果。
- 一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用-202011310283.1
- 崔巍 - 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- 2020-11-20 - 2023-08-22 - C09K13/08
- 本发明提供一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用。所述丝网印刷电化学刻蚀用浆料按质量百分含量计包括：氟化铵0.35‑15％、氟化氢0.05‑5％、增稠剂0.1‑10％，余量为溶剂。所述浆料可以用于丝网印刷电化学刻蚀技术，从而一步完成选择性刻蚀。
- 一种光电行业蚀刻液的生产方法-202211324398.5
- 刘松;高月;刘东洋;姜灿;潘庆祥;易乐 - 湖北九宁化学科技有限公司
- 2022-10-27 - 2023-08-18 - C09K13/08
- 本发明提供了一种光电行业蚀刻液的生产方法，属于精细氟化工技术领域。本发明首先将氟化钠溶液和氟硅酸溶液混合后进行反应，得到的氟硅酸钠料浆顺次进行离心、精过滤得到含氢氟酸的滤液，再将含氢氟酸的滤液进行纳膜过滤，得到氢氟酸溶液和浊盐液，最后在氢氟酸溶液中加入除杂剂后，再经亚沸精馏得到蚀刻液和低度酸。本发明得到的蚀刻液纯度高、杂质少，产品收率高，可以作为刻蚀剂用于光电行业。
- 微细加工处理剂、和微细加工处理方法-202310442571.X
- 山崎阳介;堀上健太;伊达和哉;长谷部类;二井启一;西田哲郎 - 斯泰拉化工公司
- 2021-06-11 - 2023-08-15 - C09K13/08
- 本发明提供对至少具有含硅绝缘膜的被处理物，在抑制微粒的残留的同时能够进行良好的微细加工的微细加工处理剂和微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂包含以下的化学式(1)所示的化合物、氟化氢、氟化铵和水，M
- 一种蚀刻液、一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法-202210601938.3
- 请求不公布姓名 - 北京智创芯源科技有限公司
- 2022-05-30 - 2023-08-15 - C09K13/08
- 本发明提出了一种蚀刻液，蚀刻液组分包括硝酸、氢氟酸、乳酸和水；以及一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法，通过湿法腐蚀的方法可以快速去除碲锌镉衬底，碲锌镉衬底腐蚀速率可达500微米/分钟以上，并且本蚀刻液可以在2分钟内完全腐蚀掉碲锌镉衬底，并且会在碲镉汞过渡层上形成终止层，终止层只有数十纳米，再通过溴加氢溴酸的水溶液腐蚀去除终止层，腐蚀时间约10秒，最终得到光亮新鲜的碲镉汞表面。该方法可以快速去除900‑1000微米原生厚度的衬底，有效消除衬底物理减薄过程带来的损伤，保持碲镉汞红外探测器光电性能不受衬底减薄工艺的影响。
- 一种二元废酸的再生利用方法-202210429595.7
- 郎超 - 盛隆资源再生（无锡）有限公司
- 2022-04-22 - 2023-08-15 - C09K13/08
- 本发明涉及一种二元废酸的再生利用方法，所述再生利用方法包括如下步骤：(1)对二元废酸加酸液进行处理，之后经固液分离得到氟化铝沉淀和一次净化液；(2)将步骤(1)得到的一次净化液进行蒸馏，得到二次净化液和所述酸液；(3)将步骤(2)得到的所述二次净化液进行纳滤处理，得到二元酸液和磷硫二元酸蚀刻液。本发明提供的再生利用方法通过采用特定的处理过程实现了对铝蚀刻中产生的二元废酸的再生利用。
- 一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法-202310173381.2
- 何珂;戈烨铭;白雪 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
- 2023-02-28 - 2023-08-01 - C09K13/08
- 本发明提出了一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：聚乙烯醇季铵盐稳定剂5‑10份、氢氟酸10‑20份、硫酸5‑10份、硝酸5‑10份、表面活性剂3‑5份和水50‑90份。本发明集成电路用氧化硅减薄液的利用率的提高，废液产生量显著减少，处理简单，且制备方法简单，安全环保，工作效率高，具有广阔的应用前景。
- 蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法-201910825559.0
- 金用泰;林廷训;金秀珍;吴政玟;田昇敏;全夏英 - 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
- 2019-09-03 - 2023-07-18 - C09K13/08
- 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
- 一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液-202111501522.6
- 张庭;贺兆波;李金航;李鑫;尹印;万杨阳;武昊冉 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2021-12-09 - 2023-07-11 - C09K13/08
- 本发明公开了一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、非离子型表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入抑制剂，提高蚀刻液的粘度，增加传质阻力，降低二氧化硅的蚀刻速率；非离子型表面活性剂则用于降低蚀刻液表面张力，提高浸润性，减小凹型沟槽结构上、中、下层二氧化硅蚀刻速率的差异。本发明所述的蚀刻液能够使凹型沟槽结构的上、中、下层蚀刻速率差异降低，保持上、中、下层的二氧化硅蚀刻速率基本一致。
- 一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液-202111544337.5
- 张庭;李金航;贺兆波;武昊冉;李鑫;欧阳克银;蒋瑜瑜 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2021-12-16 - 2023-07-11 - C09K13/08
- 本发明涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入表面活性剂，表面活性剂具有优良的润湿性且低泡，能够降低蚀刻液的接触角大小，提高蚀刻液浸润性，同时降低表面张力，使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好，由于产生气泡量少，能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题，保持均匀蚀刻。本发明所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少，能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜，不产生二氧化硅残留，且对光刻胶无影响。
- 一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液-202210780705.4
- 李金航;张庭;李鑫;武昊冉;贺兆波;陈小超;罗海燕;陈麒;刘春丽;叶瑞 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2022-07-04 - 2023-07-11 - C09K13/08
- 本发明提供了一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂、消泡剂以及超纯水。该蚀刻液表面张力低，对纳米级孔穴有很强的钻蚀能力，保证蚀刻后孔内结构的完整性和均一性。其中表面活性剂在氢氟酸药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低；同时表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液对氮化硅和硅的浸润性。消泡剂可以抑制蚀刻过程中气泡的产生，防止氧化层被气泡阻挡而形成氧化物残留。本发明所述的蚀刻液可满足芯片结构制造中的＜100nm孔径的中间氧化层的蚀刻，并保证层内结构的完整性。
- 硅选择性蚀刻液组合物、其制备方法及半导体器件-202211643405.8
- 吴正植;金泰镐;金起莹;李明镐;宋明根 - 易安爱富科技有限公司
- 2022-12-20 - 2023-07-04 - C09K13/08
- 本发明涉及一种用于在暴露有金属膜和硅的表面选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明，可以在暴露有金属膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
- 蚀刻组合物-202111624865.1
- 张文贝;刘兵;彭洪修 - 安集微电子科技（上海）股份有限公司
- 2021-12-28 - 2023-06-30 - C09K13/08
- 本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物。一种蚀刻组合物，包括氢氧化铵的衍生物、氧化剂、含氟蚀刻剂、有机溶剂、腐蚀抑制剂和水。本发明蚀刻组合物不但特别适用应用于湿法蚀刻钼及氮化钛，且能够调节对钼/氮化钛的蚀刻选择性；采用了本发明的蚀刻组合物，在能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的情况下，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
- 微细加工处理剂、和微细加工处理方法-202180002940.2
- 山崎阳介;堀上健太;伊达和哉;长谷部类;二井启一;西田哲郎 - 斯泰拉化工公司
- 2021-06-11 - 2023-06-30 - C09K13/08
- 本发明提供对至少具有含硅绝缘膜的被处理物，在抑制微粒的残留的同时能够进行良好的微细加工的微细加工处理剂和微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂是用于对至少具有含硅绝缘膜的被处理物进行微细加工的微细加工处理剂，其特征在于，包含以下的化学式(1)所示的化合物、氟化氢、氟化铵和水，M
- 一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液-202180007457.3
- 高小云;刘兵 - 晶瑞电子材料股份有限公司;晶瑞湖北微电子材料有限公司
- 2021-12-07 - 2023-06-27 - C09K13/08
- 本发明公开了一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，该蚀刻液包含氢氟酸、氟化铵、渗透剂和水，以及复合改性剂，该复合改性剂由投料摩尔比为2‑8∶1的式(Ⅰ)所示化合物、式(Ⅱ)所示化合物构成；N(C
- 一种氧化硅高选择性蚀刻液-202211572581.7
- 武昊冉;张庭;贺兆波;李金航;许真;董攀飞;李誉;王巍 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2022-12-08 - 2023-06-09 - C09K13/08
- 本发明提供了一种氧化硅高选择性蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：1‑6%的氢氟酸、10‑30%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为有机胺类化合物与含磷酸基的化合物的混合物，有机胺类化合物优选长碳链有机胺。通过活性剂的复配使用，可以更加高效地抑制金属层地蚀刻，蚀刻选择比可以高于20；同时该蚀刻液可以快速浸润到氧化硅深孔结构中，将深孔中的氧化硅蚀刻完全，满足工艺的要求。
- 一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液-202211608445.9
- 张庭;贺兆波;叶瑞;李金航;徐子豪;武昊冉;许真 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2022-12-14 - 2023-06-09 - C09K13/08
- 本发明提供了一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，例如，硼掺杂多晶硅、硼磷掺杂多晶硅，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机酸以及超纯水。本发明的蚀刻液通过添加剂的作用，能够得到表面张力低、浸润性优的蚀刻液，同时添加剂和有机酸的加入对掺杂多晶硅具有保护效果，可以在掺杂多晶硅表面形成稳定的保护膜，选择性地蚀刻二氧化硅，二氧化硅和掺杂多晶硅的蚀刻选择比可以达到2000以上，且掺杂多晶硅层蚀刻后的表面粗糙度在0.050nm以下。本发明的蚀刻液在不影响二氧化硅层和氮化硅膜层蚀刻速率的情况下，对掺杂多晶硅层具有更优的保护效果。
- 一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法-202211621245.7
- 何珂;戈烨铭;白雪 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
- 2022-12-16 - 2023-06-09 - C09K13/08
- 本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液，其包含硝酸、亚硝酸盐、氟化氢铵、含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、硅化合物、表面活性剂，余量为去离子水。还提供了制备所述集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液的方法。
- 专利分类
