[发明专利]半导体制造装置用构件及其制法在审
| 申请号： | 202111499114.1 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114628308A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 竹林央史;伊藤丈予 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;郭玫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件(10)具备：具有凹形状的晶片载置面(22)且内置有静电电极(24)的陶瓷制的上部板(20)；经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反侧的面上的中间板(30)；以及经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合上部板(20)的面相反侧的面上的下部板(40)。中间板(30)的热膨胀系数大于上部板(20)和下部板(40)的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 构件 及其 制法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
