[发明专利]半导体制造装置用构件及其制法

说明书

本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件(10)具备：具有凹形状的晶片载置面(22)且内置有静电电极(24)的陶瓷制的上部板(20)；经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反侧的面上的中间板(30)；以及经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合上部板(20)的面相反侧的面上的下部板(40)。中间板(30)的热膨胀系数大于上部板(20)和下部板(40)的热膨胀系数。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用构件及其制法。

背景技术

以往，已知一种半导体制造装置用构件，其具备：具有晶片载置面的陶瓷制的静电卡盘、以及在中央比周缘凹陷的形状的凹面上金属接合有静电卡盘的支撑基板(例如参照专利文献1)。在该半导体制造装置用构件中，静电卡盘在变形为与支撑基板的凹面相同的形状的状态下接合。另外，静电卡盘的陶瓷与构成支撑基板的复合材料的热膨胀系数差的绝对值为0.2×10^-6/K以下。根据这样的半导体制造装置用构件，认为由于静电卡盘的晶片载置面是凹面，因此能够将晶片稳定地保持在晶片载置面上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6741548号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1中，难以高精度地对支撑基板的凹面进行精加工。因此，难以得到尺寸精度高的凹形状的晶片载置面。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件。

用于解决课题的方案

本发明的半导体制造装置用构件具备：

陶瓷制的上部板，其具有凹形状或凸形状的晶片载置面，并内置有静电电极；

中间板，其经由第一金属接合层而接合于所述上部板的与所述晶片载置面相反侧的面上；以及

下部板，其经由第二金属接合层而接合于所述中间板的与接合所述上部板的面相反侧的面上，

所述中间板的热膨胀系数大于所述上部板和所述下部板的热膨胀系数。

在该半导体制造装置用构件中，中间板的热膨胀系数大于上部板和下部板的热膨胀系数。因此，能够利用中间板与上部板的热膨胀差和中间板与下部板的热膨胀差，使晶片载置面成为尺寸精度高的凹形状或凸形状。

在本发明的半导体制造装置用构件中，所述中间板可以是金属与陶瓷的复合材料制或金属制，所述下部板可以是与所述上部板相同的陶瓷制，并具有与所述上部板不同的厚度。这样一来，容易使中间板的热膨胀系数大于上部板和下部板的热膨胀系数。另外，虽然上部板和下部板是相同的陶瓷制，但由于厚度不同，因此容易使晶片载置面成为凹形状或凸形状。

在该情况下，所述晶片载置面可以是凹形状，所述上部板可以比所述下部板薄。或者，所述晶片载置面也可以是凸形状，所述上部板可以比所述下部板厚。

另外，也可以是，在所述上部板和所述下部板的至少一方内置有电阻发热体。这样一来，能够将半导体制造装置用构件用作静电卡盘加热器。在所述下部板也可以内置有电阻发热体，布线有所述电阻发热体的区域的直径可以为所述上部板的直径以上。这样一来，由于电阻发热体能够对上部板的晶片载置面整个面进行加热，因此晶片的均热性提高。

本发明的半导体制造装置用构件的制法包括：

(a)准备下部板、具有晶片载置面并内置有静电电极的陶瓷制的上部板、以及热膨胀系数大于所述上部板和所述下部板的中间板的工序；以及