[发明专利]半导体制造装置用构件及其制法

权利要求书

1.一种半导体制造装置用构件，具备：

陶瓷制的上部板，其具有凹形状或凸形状的晶片载置面，并内置有静电电极；

中间板，其经由第一金属接合层而接合于所述上部板的与所述晶片载置面相反侧的面上；以及

下部板，其经由第二金属接合层而接合于所述中间板的与接合所述上部板的面相反侧的面上，

所述中间板的热膨胀系数大于所述上部板和所述下部板的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，所述中间板是金属与陶瓷的复合材料制或金属制，

所述下部板是与所述上部板相同的陶瓷制，具有与所述上部板不同的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置用构件，所述晶片载置面为凹形状，

所述上部板比所述下部板薄。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置用构件，所述晶片载置面为凸形状，

所述上部板比所述下部板厚。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体制造装置用构件，在所述上部板和所述下部板的至少一方内置有电阻发热体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体制造装置用构件，在所述下部板内置有电阻发热体，

布线有所述电阻发热体的区域的直径为所述上部板的直径以上。

7.一种半导体制造装置用构件的制法，包括：

(a)准备下部板、具有晶片载置面并内置有静电电极的陶瓷制的上部板、以及热膨胀系数大于所述上部板和所述下部板的中间板的工序；以及

(b)在所述中间板的上表面和所述上部板的与所述晶片载置面相反侧的面之间配置第一金属接合材料，并且在所述中间板的下表面和所述下部板的上表面之间配置第二金属接合材料，在该状态下进行加压加热后恢复至室温，由此得到接合体的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体制造装置用构件的制法，在所述工序(a)中，在准备所述下部板时，事先以使所述下部板的厚度成为预先确定的目标厚度的方式进行加工。

9.根据权利要求7或8所述的半导体制造装置用构件的制法，在所述工序(b)中，在得到所述接合体后，加工所述下部板以使所述下部板的厚度成为与所述上部板的厚度不同的预先确定的目标厚度。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体制造装置用构件的制法，在所述工序(b)中，在得到所述接合体后，调整所述下部板的厚度以使所述上部板的形状成为预先确定的凹形状或凸形状。