[发明专利]高质量氮化铝模板及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111497389.1 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114203535B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;刘婷 | 申请（专利权）人： | 北京镓纳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 100000 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量氮化铝模板及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在异质衬底的表面生长形成第一氮化铝层；对所述第一氮化铝层的第一表面的第一区域进行第一次刻蚀，以形成至少一个第一凹陷部；在所述第一氮化铝层的第一表面生长形成第二氮化铝层；对所述第二氮化铝层的第二表面的第二区域进行第二次刻蚀，以形成至少一个第二凹陷部，且所述第二区域和第一区域在异质衬底表面上的正投影区域无重叠区域；在所述第二氮化铝层的第二表面生长形成第三氮化铝层。本发明实施例提供的一种高质量氮化铝模板的制备方法，解决了AlN模板的开裂问题，并且大幅度降低了AlN模板中穿透位错的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 氮化 模板 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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