[发明专利]多层堆叠存储器封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 202111496798.X | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114171414A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杜茂华;吴明敏 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/603;H01L23/16;H01L23/50;H01L23/367;H01L23/473;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：将每个第一存储器芯片固定在对应的第一假片的第一槽体内，形成第一存储器微模组，第一假片设置有第一冷却通孔；将第二假片与第三假片阳极键合，在第二假片和第三假片对应第一槽体处形成第二槽体，第三假片对应第一冷却通孔处形成第二冷却通孔，第二冷却通孔与第一冷却通孔连通；第一存储器芯片固定在第二槽体中形成第二存储器微模组；依次将第二存储器微模组和多个第一存储器微模组混合键合堆叠在缓冲芯片上，第二存储器微模组和第一存储器微模组在缓冲芯片上的正投影与缓冲芯片重合。本发明通过在假片上形成冷却通孔，实现强制冷却，芯片间通过混合键合连接，大大提高互连密度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 存储器 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
