[发明专利]多层堆叠存储器及制作方法在审
| 申请号： | 202111493913.8 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114203568A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 杜茂华 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多层堆叠存储器及制作方法，所述多层堆叠存储器制作方法包括以下步骤：准备存储芯片和基板，使用热压键合的方式将存储芯片通过微凸点焊接堆叠在基板上；将另一层存储芯片通过微凸点焊接堆叠在上一层存储芯片上，形成堆叠模块；在所述基板与存储芯片之间、以及上下相邻的存储芯片之间均充满塑封料或底充胶，对所述堆叠模块进行塑封；将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。本发明提供的多层堆叠存储器制作方法可以有效降低多层堆叠存储器的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富微电子股份有限公司，未经通富微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111493913.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：骨传导嵌入喇叭及电子设备
- 下一篇：一种扇出式封装方法及封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
