[发明专利]多层堆叠存储器及制作方法

权利要求书

1.一种多层堆叠存储器制作方法，其特征在于,包括以下步骤：

S10、准备存储芯片(2)和基板(1)，使用热压键合的方式将存储芯片(2)通过微凸点(3)焊接堆叠在基板(1)上；

S20、使用热压键合的方式将另一层存储芯片(2)通过微凸点(3)焊接堆叠在上一层存储芯片(2)上；

S30、如果所述基板(1)上堆叠的存储芯片(2)的层数等于设定的层数，则存储芯片(2)完成堆叠，形成堆叠模块(20)，然后执行步骤S40；如果所述基板(1)上堆叠的存储芯片(2)的层数小于设定的层数，则执行步骤S20；

S40、在所述堆叠模块(20)的顶层的存储芯片(2)的上表面安装散热片(4)；

S50、将安装有散热片(4)的堆叠模块放入塑封模具中，向塑封模具中填充塑封料(5)，对所述堆叠模块进行塑封，其中所述基板(1)与存储芯片(2)之间、以及上下相邻的存储芯片(2)之间均充满塑封料(5)，所述散热片(4)的上表面位于塑封料(5)外侧；

S60、将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。

2.根据权利要求1所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，在所述步骤S40中，在所述散热片(4)和顶层的存储芯片(2)的上表面之间涂敷散热胶(6)。

3.根据权利要求2所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，所述散热片(4)的材质为铜或不锈钢。

4.根据权利要求1所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，在所述步骤S50中，向塑封模具中填充的塑封料(5)为塑封底充料。

5.根据权利要求1所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，

在所述步骤S10中，当所述基板(1)的下表面具有焊球(7)时，首先将所述基板(1)通过临时键合胶(8)粘贴在临时载板(9)上，然后再将存储芯片(2)堆叠在基板(1)上；并且在所述步骤S60中，首先将临时键合胶和临时载板去除，然后再将塑封后的堆叠模块分割成独立封装；

在所述步骤S10中，当所述基板(1)的下表面没有焊球(7)时，在所述步骤S60中，首先在基板(1)的下表面贴装焊球(7)，然后再将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。

6.一种多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、准备存储芯片(2)和基板(1)，使用热压键合的方式将存储芯片(2)通过微凸点(3)焊接堆叠在基板(1)上；

S20、使用热压键合的方式将另一层存储芯片(2)通过微凸点(3)焊接堆叠在上一层存储芯片(2)上；

S30、如果所述基板(1)上堆叠的存储芯片(2)的层数等于设定的层数，则存储芯片(2)完成堆叠，形成堆叠模块(20)，然后执行步骤S40；如果所述基板(1)上堆叠的存储芯片(2)的层数小于设定的层数，则执行步骤S20；

S40、在基板(1)上放置硅胶隔板(10)，所述硅胶隔板(10)围绕每个所述堆叠模块(20)的所有堆叠的存储芯片(2)，所述硅胶隔板(10)的下表面紧密贴合所述基板(1)的上表面；

S50、在所述硅胶隔板(10)内填充底充胶(11)，所述基板(1)与存储芯片(2)之间、以及上下相邻的存储芯片(2)之间均填充有底充胶(11)，并加热固化；

S60、去除硅胶隔板(10)，将去除硅胶隔板(10)的堆叠模块放入塑封模具中，向塑封模具中填充塑封料(5)，对所述堆叠模块进行塑封；

S70、将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。

7.根据权利要求6所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，在步骤S40中，所述硅胶隔板(10)的上表面高度低于顶层的存储芯片(2)的上表面。

8.根据权利要求6所述的多层堆叠存储器制作方法，其特征在于，在步骤S40中，所述硅胶隔板(10)与堆叠模块(20)的存储芯片(2)之间的距离为0.3-0.5毫米。