[发明专利]在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法在审
| 申请号： | 202111493038.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114627936A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | V·拉纳;N·达拉尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/30;G11C16/34;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李春辉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例提供了在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易失性存储器(NVM)的集成电路。该集成电路包括偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉及存储器读取、擦除验证和编程验证的低电压存储器操作。本公开涉及非易失性存储器电路，该非易失性存储器电路也可以在数字电压供应范围内的低电源电压处操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 生成 偏置 电压 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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