[发明专利]在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器电路，包括：

主存储器阵列；

多个感测放大器，耦合到所述主存储器阵列；

偏置复制电路，耦合到所述主存储器阵列；

共源共栅电压生成电路，耦合到所述多个感测放大器和所述偏置复制电路；

电流镜；

电流比较器；

振荡器，耦合到所述电流比较器；

相位生成器，耦合到所述振荡器；以及

电荷泵，耦合到所述相位生成器和所述偏置复制电路。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器电路，还包括电阻器分压器，所述电阻器分压器耦合到所述电荷泵、所述偏置复制电路和所述主存储器阵列。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器电路，其中所述偏置复制电路包括：

复制存储器阵列；

复制列解码块，耦合到所述复制存储器阵列；以及

源极线路径块，耦合到所述复制存储器阵列和接地。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器电路，其中：

所述偏置复制电路被配置为在所述主存储器阵列中跨过程和温度变化而维持稳定位线电压和稳定电流；

所述电流比较器被配置为比较来自所述偏置复制电路的电流与参考电流；

所述振荡器被配置为基于来自所述电流比较器的信号来生成时钟；

所述相位生成器被配置为基于所述时钟来生成多个时钟相位；以及

所述电荷泵耦合到所述复制存储器阵列，所述电荷泵被配置为响应于所述多个时钟相位被生成而维持输出电压。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储器电路，其中所述共源共栅电压生成电路包括：

运算放大器，耦合到所述偏置复制电路；以及

晶体管，耦合到所述运算放大器和所述多个感测放大器。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器电路，其中所述运算放大器包括：第一输入，所述第一输入耦合到参考电压；以及第二输入，所述第二输入耦合到所述偏置复制电路；以及输出，所述输出耦合到所述晶体管的栅极。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器电路，其中所述晶体管的第一端子耦合到所述运算放大器的所述第二输入，并且所述晶体管的第二端子耦合到所述电流镜。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器电路，其中所述电流镜包括：

第一晶体管，耦合在所述共源共栅电压生成电路的所述晶体管的所述第二端子与电源电压之间；以及

第二晶体管，耦合在所述电源电压与所述振荡器之间，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极。

9.根据权利要求2所述的非易失性存储器电路，其中所述电流镜包括晶体管对，所述晶体管对耦合到所述共源共栅电压生成电路、电源电压和所述振荡器。

10.根据权利要求3所述的非易失性存储器电路，其中所述复制存储器阵列包括多个复制存储器单元，所述多个复制存储器单元以串联并联配置被耦合。

11.根据权利要求3所述的非易失性存储器电路，其中所述复制存储器阵列包括多个活动存储器单元和非活动存储器单元，所述活动存储器单元并联耦合。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器电路，其中所述振荡器是电阻器-电容器振荡器。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器电路，其中所述振荡器是压控振荡器。