[发明专利]半导体存储装置及制备方法在审
| 申请号： | 202111481282.8 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114334837A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体存储装置及制备方法，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储装置电性毁损的几率。本申请提供的一种半导体存储装置的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有多个接触窗，所述接触窗内形成有堆叠结构，且所述堆叠结构的上表面高于所述衬底的上表面；在所述堆叠结构的侧壁表面形成侧墙；对所述侧墙进行氮化处理，以至少增强所述侧墙的表面的绝缘强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
