[发明专利]含噻吩并噻二唑结构的有机光电分子材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202111476300.3 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN114057774A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 蒋亚东;袁柳;太惠玲;王洋;顾德恩;黎威志 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C07D513/04 分类号: C07D513/04;C07D519/00;C07F7/08;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于有机光电材料领域,具体涉及一种含噻吩并噻二唑结构的有机光电分子材料及其制备方法和应用。本发明采用噻吩并噻二唑为中心单元,噻吩类衍生物为连接单元,末端结构为2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈或2‑亚甲基‑1H‑茚‑1,3(2H)‑二酮;因此具有良好的平面性,且可以形成良好的共轭,有利于分子轨道的离域,提高分子消光系数,以及促进电荷的分离与传输。所制备的有机光电分子吸收光谱范围超过1.1μm,有利于光谱的进一步拓展,且保留了高结晶度与高近红外消光系数的优点,易溶解于有机溶剂,可通过溶液法制备高质量的薄膜。对于开发宽光谱有机近红外光探测器的发展和应用具有重要意义。
搜索关键词: 噻吩 噻二唑 结构 有机 光电 分子 材料 及其 制备 方法 应用
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