[发明专利]一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法在审
| 申请号： | 202111457399.2 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114134576A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 高彦昭;王英民;李轶男;王健;程红娟;刘禹岑;刘兴华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/50 | 分类号： | C30B29/50;C30B35/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，将装有CdS籽晶的籽晶架、5～20g CdS粉和石英封帽从石英管的B端依次装入石英管内，进行抽真空、充高纯氩气、封结处理，然后将石英管装入双温区退火炉中进行加热，随着石英管内温度升高到设定温度，CdS粉挥发出的CdS气氛充满整个石英管腔内，再加上氩气的保护，CdS籽晶表面挥发量极少，同时CdS籽晶处于低温区，CdS气氛会在CdS籽晶表面的微裂纹处进行凝结生长，逐步将裂纹填充，实现CdS籽晶表面的微裂纹修复，有效降低了CdS籽晶片的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 低位 密度 cds 生长 籽晶 处理 方法 | ||
【主权项】：
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