[发明专利]一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法在审
| 申请号： | 202111457399.2 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114134576A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 高彦昭;王英民;李轶男;王健;程红娟;刘禹岑;刘兴华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/50 | 分类号： | C30B29/50;C30B35/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 低位 密度 cds 生长 籽晶 处理 方法 | ||
1.一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，其特征在于：处理方法包括以下步骤，
一、将CdS籽晶片（1）放入籽晶架（2）中，其中CdS籽晶片（1）为表面粗糙度小于1nm的CdS抛光片，籽晶架（2）具有多个晶片卡槽，可同时装入多片CdS籽晶片；
二、将装有CdS籽晶（1）的籽晶架（2）、5～20g CdS粉（3）和石英封帽（4）从石英管（5）的B端依次装入石英管（5）内，并对石英管（5）进行加热，在100~150℃条件下持续抽真空，当真空度低于5×10-4Pa时，充入高纯氩气，管内压力达到1×104Pa ~4×104Pa时，使用氢氧焰从石英管（5）与石英封帽（4）接触处封结，形成籽晶热处理装置，并装入双温区退火炉中，其中CdS籽晶片（1）位于Ⅰ温区，CdS粉（3）位于Ⅱ温区；
三、将装有CdS籽晶片（1）的石英管（5）装入双温区退火炉中，其中CdS籽晶片（1）位于Ⅰ温区，CdS粉（3）位于Ⅱ温区；
四、按照50~100℃/h的速率进行升温，将Ⅰ温区温度设置为1000~1050℃，Ⅱ温区温度比Ⅰ温区温度高20℃，即温度范围为1020~1070℃，保持恒温热处理10h；
五、按照5-7℃/h的速率将Ⅰ温区降为700~750℃，Ⅱ温区温度降到720~770℃，且保持Ⅱ温区温度比Ⅰ温区温度高20℃，恒温处理2h；
六、按照10-15℃/h的速率将Ⅰ温区和Ⅱ温区温度降至室温，将石英管（5）取出可获得位错密度较低的CdS籽晶片（1）。
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