[发明专利]一种双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202111414737.4 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114093937B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张培健;魏佳男;易孝辉;税国华;洪敏;陈仙;罗婷;朱坤峰;张广胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李铁 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区、设置在外延层中并环绕基区的发射区和集电区。通过包围基区和发射结的环形集电极场板形成的双极晶体管结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，从而降低了Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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