[发明专利]半导体存储器装置

摘要

公开了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：具有包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的衬底；栅电极，其在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在第一方向上延伸跨过有源图案；线结构，其在横向于第一方向的第二方向上延伸跨过有源图案，所述线结构包括电连接至第一源极/漏极区的位线；器件隔离层，其位于限定有源图案的第一沟槽中；以及接触件，其结合至所述第二源极/漏极区。有源图案包括：第一部分，其在平行于衬底的顶表面的第三方向上延伸；以及第二部分和第三部分，它们连接至所述第一部分的相对端部，并且与对应的接触件竖直地重叠。第二部分和第三部分朝着相应的接触件延伸。