[发明专利]一种基于薄膜晶体管的无电容DRAM单元结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种基于薄膜晶体管的无电容DRAM单元结构及制造方法。无电容DRAM单元结构包括由下至上依次堆叠的：半导体衬底、第一隔离层、第一电极层、第二隔离层、第二电极层、第一沟道层、第一栅介质层、第一栅极层、第三隔离层、第三电极层、第二沟道层、第二栅介质层和第二栅极层；其中，第一电极层、第二隔离层和第二电极层共形且只覆盖第一隔离层中心部分的表面；第一沟道层覆盖第一电极层的侧表面、第二隔离层的侧表面、第二电极层的上表面和侧表面、以及第一隔离层的其余上表面；第二沟道层覆盖第三隔离层的侧表面、第三电极层的侧表面和上表面。本发明采用了双层晶体管垂直堆叠的技术，节约了单元面积，有利于提高电路的集成密度。