[发明专利]一种三维半导体结构的平坦化处理方法在审
| 申请号： | 202111311133.7 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114141775A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种三维半导体结构的平坦化处理方法，包括：提供三维半导体结构，包括：衬底，衬底上定义有至少一个台阶区与至少一个核心区；至少一个存储器堆叠结构，包括位于第一子台阶区的台阶结构及位于核心区的叠层结构；形成填充层，填充层在核心区的部分高于在台阶区的部分；在填充层上涂覆保护层；刻蚀保护层在核心区的部分，以露出填充层在核心区的部分的顶部；刻蚀填充层；去除保护层。本申请提供的三维半导体结构的平坦化处理方法，通过在填充层上涂覆保护层，刻蚀去除保护层在核心区的部分，再刻蚀填充层在核心区的部分，使得填充层在核心区的部分与填充层在台阶区的部分之间的高度差减小，有利于后续的填充层的平坦化处理的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 半导体 结构 平坦 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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